Infineon Technologies IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF9389TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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내부 부품 번호EIS-IRF9389TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF9389PbF
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Assembly Site Addition 22/Jun/2014
Assembly Site Retraction 27/Jun/2014
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장*
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.8A, 4.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs27m옴 @ 6.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.3V @ 10µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds398pF @ 15V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF9389TRPBFTR
SP001551666
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF9389TRPBF
관련 링크IRF9389, IRF9389TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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