창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9362PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9362PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF9362PBF Saber Model IRF9362PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001566534 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9362PBF | |
| 관련 링크 | IRF936, IRF9362PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW06031K30JNTA | RES SMD 1.3K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06031K30JNTA.pdf | |
![]() | Y008945K9000BR0L | RES 45.9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y008945K9000BR0L.pdf | |
![]() | KIA78S15P-AT/P | KIA78S15P-AT/P KEC- TO-92 | KIA78S15P-AT/P.pdf | |
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![]() | PS53114 | PS53114 TI TSSOP16 | PS53114.pdf | |
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![]() | AD7824UQ/883B5962-8876402LA | AD7824UQ/883B5962-8876402LA AD DIP | AD7824UQ/883B5962-8876402LA.pdf | |
![]() | LTC1258CMS8-4.1#TRPBF | LTC1258CMS8-4.1#TRPBF LT MSOP8 | LTC1258CMS8-4.1#TRPBF.pdf | |
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![]() | CCR07CG153KR | CCR07CG153KR KEMET DIP | CCR07CG153KR.pdf | |
![]() | 2SK3364-01 | 2SK3364-01 FUJI TO-220 | 2SK3364-01.pdf |