창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9358PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9358PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.3m옴 @ 9.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001572322 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9358PBF | |
관련 링크 | IRF935, IRF9358PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
445C3XS13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 시리즈 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XS13M00000.pdf | ||
SIT1602BC-23-25E-24.000000E | OSC XO 2.5V 24MHZ OE | SIT1602BC-23-25E-24.000000E.pdf | ||
PWR6327W6801JE | RES SMD 6.8K OHM 5% 3W 6327 | PWR6327W6801JE.pdf | ||
J176,126 | J176,126 NXP SMD or Through Hole | J176,126.pdf | ||
21-37439-03 /TM2603 | 21-37439-03 /TM2603 ORIGINAL QFP-100 | 21-37439-03 /TM2603.pdf | ||
MAX3375EEKA TEL:82766440 | MAX3375EEKA TEL:82766440 MAXIM 8SOT23 | MAX3375EEKA TEL:82766440.pdf | ||
ND410626 | ND410626 POWEREX MODULE | ND410626.pdf | ||
PE69011NL | PE69011NL PULSE SMD or Through Hole | PE69011NL.pdf | ||
MPC17531AEP | MPC17531AEP ORIGINAL SMD or Through Hole | MPC17531AEP.pdf | ||
CRD-2405(M) | CRD-2405(M) DANUBE DIP24 | CRD-2405(M).pdf | ||
VI-JTZ-CY | VI-JTZ-CY ORIGINAL MODULE | VI-JTZ-CY.pdf |