창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF8915TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF8915PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF8915 Saber Model IRF8915 Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18.3m옴 @ 8.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF8915PBFTR IRF8915TRPBF-ND IRF8915TRPBFTR-ND SP001554494 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF8915TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF8915, IRF8915TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CC1206FRNPO9BN220 | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206FRNPO9BN220.pdf | |
| RSMF3JBR270 | RES METAL OX 3W 0.27 OHM 5% AXL | RSMF3JBR270.pdf | ||
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![]() | MC10515/BEBJC | MC10515/BEBJC MOT DIP16 | MC10515/BEBJC.pdf | |
![]() | PC817C.D | PC817C.D SHARP DIP4 | PC817C.D.pdf | |
![]() | 18F-4Z-C2 | 18F-4Z-C2 JINHONG SMD or Through Hole | 18F-4Z-C2.pdf | |
![]() | LM2585S3.3 | LM2585S3.3 NSC TO220 | LM2585S3.3.pdf | |
![]() | SFI1812ML180A-LF | SFI1812ML180A-LF SFI SMD | SFI1812ML180A-LF.pdf | |
![]() | 133Q | 133Q TI QFN | 133Q.pdf | |
![]() | GP2AP012AOOF | GP2AP012AOOF SHARP SMD or Through Hole | GP2AP012AOOF.pdf |