Infineon Technologies IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF8513TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
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IRF8513TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRF8513TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF8513PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
PCN 단종/ EOLMult Device EOL 11/May/2016
Mult Dev EOL 15/May/2016
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 19/Mar/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A, 11A
Rds On(최대) @ Id, Vgs15.5m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds766pF @ 15V
전력 - 최대1.5W, 2.4W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF8513TRPBFTR
SP001563854
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF8513TRPBF
관련 링크IRF8513, IRF8513TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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