창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840STRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840S, SiHF840S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840STRRPBF | |
| 관련 링크 | IRF840S, IRF840STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 6727-RC | 6727-RC BOURNS DIP | 6727-RC.pdf | |
![]() | 74HC563AP | 74HC563AP TOS DIP-20 | 74HC563AP.pdf | |
![]() | RSD-243.3 | RSD-243.3 RECOM SMD | RSD-243.3.pdf | |
![]() | G923-250T1Uf | G923-250T1Uf ORIGINAL SOT23-5 | G923-250T1Uf.pdf | |
![]() | PVS3A203A01R00 | PVS3A203A01R00 MURATA XX | PVS3A203A01R00.pdf | |
![]() | H5DU1262GTR-FBC-- | H5DU1262GTR-FBC-- HYINX TSOP | H5DU1262GTR-FBC--.pdf | |
![]() | V24C28H100BL2 | V24C28H100BL2 VICOR SMD or Through Hole | V24C28H100BL2.pdf | |
![]() | E421U9Y | E421U9Y ORIGINAL QFN | E421U9Y.pdf | |
![]() | HC1904U | HC1904U ORIGINAL SMD or Through Hole | HC1904U.pdf | |
![]() | VJ9010Y104KXAMT98 | VJ9010Y104KXAMT98 VISH SMD or Through Hole | VJ9010Y104KXAMT98.pdf | |
![]() | 1N4448WS-V-GS18 | 1N4448WS-V-GS18 VISHAY SOD-323 | 1N4448WS-V-GS18.pdf | |
![]() | R1501J060B-TR-F | R1501J060B-TR-F RICOH TO-252-5-P2 | R1501J060B-TR-F.pdf |