창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840S, SiHF840S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF840S, IRF840STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | EEU-EB2C101 | 100µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-EB2C101.pdf | |
![]() | 402F19211CDT | 19.2MHz ±10ppm 수정 18pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F19211CDT.pdf | |
![]() | RT0805BRB0761R9L | RES SMD 61.9 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB0761R9L.pdf | |
![]() | MT2B-0R02F1 | RES 0.02 OHM 3W 1% AXIAL | MT2B-0R02F1.pdf | |
![]() | B72210-S231-K101 | B72210-S231-K101 EPCOS ORIGINAL | B72210-S231-K101.pdf | |
![]() | MTZJT-7720B | MTZJT-7720B ROHM MSD | MTZJT-7720B.pdf | |
![]() | CSTCV16M0T54J-RO | CSTCV16M0T54J-RO MURATA SMD2010 | CSTCV16M0T54J-RO.pdf | |
![]() | 2SH30 | 2SH30 HITACHI TO-3P | 2SH30.pdf | |
![]() | BZX884-B7V5 | BZX884-B7V5 NXP SMD or Through Hole | BZX884-B7V5.pdf | |
![]() | L5A8712GA-LSI100A- | L5A8712GA-LSI100A- LSI BGA | L5A8712GA-LSI100A-.pdf | |
![]() | EC3C13 | EC3C13 CINCON DIP5 | EC3C13.pdf |