창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840, SiHF840 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF840PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840PBF | |
| 관련 링크 | IRF84, IRF840PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 445A23K24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23K24M00000.pdf | |
![]() | IRF7351TRPBF | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC | IRF7351TRPBF.pdf | |
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![]() | RNF12FTD453R | RES 453 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD453R.pdf | |
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![]() | VP3203N8 | VP3203N8 SUPERTEX SOT89 | VP3203N8.pdf | |
![]() | 29.950MHZ | 29.950MHZ NDK SMD or Through Hole | 29.950MHZ.pdf | |
![]() | CC0603 180J 50VY | CC0603 180J 50VY ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0603 180J 50VY.pdf | |
![]() | PCB13094V0 | PCB13094V0 ORIGINAL SMD or Through Hole | PCB13094V0.pdf | |
![]() | JK60-500 | JK60-500 DIP 10ROHS | JK60-500.pdf | |
![]() | 88E6218-B1-LGO | 88E6218-B1-LGO METALINK BGA | 88E6218-B1-LGO.pdf |