창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840ASPBF, ALPBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF840ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840ASPBF | |
| 관련 링크 | IRF840, IRF840ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DRA9152Z0L | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | DRA9152Z0L.pdf | |
![]() | CMHZ4702TR | CMHZ4702TR CS SMD or Through Hole | CMHZ4702TR.pdf | |
![]() | JC12V100W10H/B | JC12V100W10H/B IWASAKI SMD or Through Hole | JC12V100W10H/B.pdf | |
![]() | MMDF6N02HDR2(D6N02) | MMDF6N02HDR2(D6N02) ON SOP8 | MMDF6N02HDR2(D6N02).pdf | |
![]() | IR7106 | IR7106 IOR SOP-8 | IR7106.pdf | |
![]() | KT21P-DCV28A-13.0M-T | KT21P-DCV28A-13.0M-T KYOCERA SMD or Through Hole | KT21P-DCV28A-13.0M-T.pdf | |
![]() | PIC24LC01BI/P | PIC24LC01BI/P MICROCHIP DIPSOPLCC | PIC24LC01BI/P.pdf | |
![]() | LM131SH | LM131SH NS CAN8 | LM131SH.pdf | |
![]() | 4400FOV800 | 4400FOV800 ORIGINAL BGA | 4400FOV800.pdf | |
![]() | MCR-0.75 | MCR-0.75 Bussmann SMD or Through Hole | MCR-0.75.pdf | |
![]() | W9751G6JB-25I | W9751G6JB-25I WINBOND WBGA-84 | W9751G6JB-25I.pdf | |
![]() | 1C017A | 1C017A ORIGINAL QFP | 1C017A.pdf |