창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840ASPBF, ALPBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF840ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840ASPBF | |
| 관련 링크 | IRF840, IRF840ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1123DI5-200.0000T | 200MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123DI5-200.0000T.pdf | |
![]() | MCD250-08IO1 | MOD THYRISTOR/DIODE 800V Y2-DCB | MCD250-08IO1.pdf | |
![]() | CRCW08053M00FKEB | RES SMD 3M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08053M00FKEB.pdf | |
![]() | RNF18FTD620R | RES 620 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD620R.pdf | |
![]() | SMD 0603 | SMD 0603 DP SMD or Through Hole | SMD 0603.pdf | |
![]() | SST12LP14E-QX8 | SST12LP14E-QX8 ORIGINAL SMD or Through Hole | SST12LP14E-QX8.pdf | |
![]() | 180UH | 180UH KOA 3225 | 180UH.pdf | |
![]() | BAS70-06 / 75 | BAS70-06 / 75 INFINEON LL34 | BAS70-06 / 75.pdf | |
![]() | AT78S06 | AT78S06 ORIGINAL SOT89-3 | AT78S06.pdf | |
![]() | MUN2231T1(8H) | MUN2231T1(8H) ON SOT23 | MUN2231T1(8H).pdf | |
![]() | SDTNMNAHSM-004G | SDTNMNAHSM-004G SANDISK TSSOP | SDTNMNAHSM-004G.pdf | |
![]() | SCP565AMN330T2G | SCP565AMN330T2G ON QFN | SCP565AMN330T2G.pdf |