창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF840APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF840APBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF840APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF840APBF | |
관련 링크 | IRF840, IRF840APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | MMP4W1P5K-F | 1.5µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Axial 0.827" W, 0.492" T x 1.378" L (21.00mm, 12.50mm x 35.00mm) | MMP4W1P5K-F.pdf | |
![]() | 416F27013AKR | 27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013AKR.pdf | |
![]() | RNCS0805BKE49K9 | RES SMD 49.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RNCS0805BKE49K9.pdf | |
![]() | ECQB1E1305-3T | ECQB1E1305-3T ORIGINAL DIP | ECQB1E1305-3T.pdf | |
![]() | 26.9940-59M | 26.9940-59M ORIGINAL S3 | 26.9940-59M.pdf | |
![]() | THS4120IDR | THS4120IDR TI SOP-8 | THS4120IDR.pdf | |
![]() | IDT74FCT162374VTPV | IDT74FCT162374VTPV IDT SSOP | IDT74FCT162374VTPV.pdf | |
![]() | 2SA488 | 2SA488 NEC/TOS CAN3 | 2SA488.pdf | |
![]() | P6LU-1215EH60ENLF | P6LU-1215EH60ENLF PEAK SMD or Through Hole | P6LU-1215EH60ENLF.pdf | |
![]() | CXK5465P-30 | CXK5465P-30 SONY SMD or Through Hole | CXK5465P-30.pdf | |
![]() | ST7514CFN | ST7514CFN ST PLCC | ST7514CFN.pdf |