창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF840APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF840APBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF840APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF840APBF | |
관련 링크 | IRF840, IRF840APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | CL10B563KB8NNNL | 0.056µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B563KB8NNNL.pdf | |
![]() | TPSMP13AHM3/85A | TVS DIODE 11.1VWM DO220AA | TPSMP13AHM3/85A.pdf | |
![]() | H12WD4890PG | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck | H12WD4890PG.pdf | |
![]() | H12WD4890PGH | RELAY SSR 660VAC/90A DC | H12WD4890PGH.pdf | |
![]() | AA0201FR-07261RL | RES SMD 261 OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-07261RL.pdf | |
![]() | MBT20100CT.. | MBT20100CT.. IR SMD or Through Hole | MBT20100CT...pdf | |
![]() | SX36ET/R | SX36ET/R PANJIT SMADO-214AC | SX36ET/R.pdf | |
![]() | MXXC | MXXC MICROCHIP SOT25 | MXXC.pdf | |
![]() | SP3010 | SP3010 SCC SMD or Through Hole | SP3010.pdf | |
![]() | ASH | ASH ORIGINAL MSOP10 | ASH.pdf | |
![]() | PBSS5130T NOPB | PBSS5130T NOPB NXP SOT23 | PBSS5130T NOPB.pdf |