창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF8313PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF8313PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.5m옴 @ 9.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001570694 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF8313PBF | |
| 관련 링크 | IRF831, IRF8313PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | APT2X101D20J | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | APT2X101D20J.pdf | |
![]() | IS62C1024-55T | IS62C1024-55T ISSI TSOP | IS62C1024-55T.pdf | |
![]() | LTMQ | LTMQ LT MSOP10 | LTMQ.pdf | |
![]() | 6200CB6/RCK | 6200CB6/RCK ST DIP-16 | 6200CB6/RCK.pdf | |
![]() | SW08PCN075 | SW08PCN075 WESTCODE DO-5 | SW08PCN075.pdf | |
![]() | NJM2865F3-46 | NJM2865F3-46 JRC TO23-5 | NJM2865F3-46.pdf | |
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![]() | SN0402092PW | SN0402092PW BB/TI TSSOP14 | SN0402092PW.pdf | |
![]() | TK7B5637C1N11 | TK7B5637C1N11 ORIGINAL DIP64 | TK7B5637C1N11.pdf | |
![]() | TIP32C/SOT-251 | TIP32C/SOT-251 FAIRCHILD TO-252 | TIP32C/SOT-251.pdf | |
![]() | A80486DX2-66 SX750 | A80486DX2-66 SX750 INTEL SMD or Through Hole | A80486DX2-66 SX750.pdf | |
![]() | IXTM42N20(A) | IXTM42N20(A) IXY SMD or Through Hole | IXTM42N20(A).pdf |