창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF830STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF830S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF830STRLPBF | |
관련 링크 | IRF830S, IRF830STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ1812Y272JBRAT4X | 2700pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y272JBRAT4X.pdf | ||
ASGTX-P-1.500GHZ-2-T | 1.5GHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-1.500GHZ-2-T.pdf | ||
SIT3808AC-2-33NG | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA | SIT3808AC-2-33NG.pdf | ||
CR0603-FX-4121ELF | RES SMD 4.12K OHM 1% 1/10W 0603 | CR0603-FX-4121ELF.pdf | ||
WCI4532-151K | WCI4532-151K ORIGINAL SMD or Through Hole | WCI4532-151K.pdf | ||
T143/883B-10MHz PIND | T143/883B-10MHz PIND XSIS SMD or Through Hole | T143/883B-10MHz PIND.pdf | ||
CKR22BX222KP | CKR22BX222KP AVX SMD | CKR22BX222KP.pdf | ||
MC33274AP. | MC33274AP. MOTOROLA. SMD or Through Hole | MC33274AP..pdf | ||
MX7548KP | MX7548KP MAXIM PLCC | MX7548KP.pdf | ||
27C32Q | 27C32Q NS DIP | 27C32Q.pdf | ||
7M12000032 | 7M12000032 TXC SMD or Through Hole | 7M12000032.pdf | ||
AT28C256-15PC | AT28C256-15PC ATMEL DIP | AT28C256-15PC.pdf |