창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF830LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF830S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRF830LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF830LPBF | |
| 관련 링크 | IRF830, IRF830LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | F339MX263031MYI2T0 | 30µF Film Capacitor 310V 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | F339MX263031MYI2T0.pdf | |
![]() | CPF0603F2K55C1 | RES SMD 2.55K OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F2K55C1.pdf | |
![]() | RG1005V-751-W-T5 | RES SMD 750 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-751-W-T5.pdf | |
![]() | FM93C56LEM8X | FM93C56LEM8X FSC SOP8 | FM93C56LEM8X.pdf | |
![]() | 2PIR0512D | 2PIR0512D ERICSSON SMD or Through Hole | 2PIR0512D.pdf | |
![]() | T90N10E | T90N10E MOTOROLA TO-263 | T90N10E.pdf | |
![]() | SG10SC4M-5600 | SG10SC4M-5600 SHINDENGEN SMD or Through Hole | SG10SC4M-5600.pdf | |
![]() | 9N54-5 | 9N54-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 9N54-5.pdf | |
![]() | TL16C752CIRHBR | TL16C752CIRHBR ORIGINAL SMD or Through Hole | TL16C752CIRHBR.pdf | |
![]() | MAXQ2000RXF | MAXQ2000RXF DALLAS TQFP | MAXQ2000RXF.pdf | |
![]() | DS2141AQ+ | DS2141AQ+ MAIXM NA | DS2141AQ+.pdf | |
![]() | TQ2H-48V | TQ2H-48V Panasonic DIP-SOP | TQ2H-48V.pdf |