창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF830APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF830A,SiHF830A Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF830APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF830APBF | |
관련 링크 | IRF830, IRF830APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
6SEP82M | 82µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 45 mOhm 3000 Hrs @ 105°C | 6SEP82M.pdf | ||
250USG560MEFCSN25X30 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 250USG560MEFCSN25X30.pdf | ||
TMK021CG9R4CK-W | 9.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 008004(0201 미터법) 0.010" L x 0.005" W(0.25mm x 0.13mm) | TMK021CG9R4CK-W.pdf | ||
416F480XXADR | 48MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480XXADR.pdf | ||
B82432T1393K000 | B82432T1393K000 EPCOS SMD | B82432T1393K000.pdf | ||
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20HV30B332KCM | 20HV30B332KCM KEMET SMD or Through Hole | 20HV30B332KCM.pdf | ||
SN74HC04P | SN74HC04P TI DIP | SN74HC04P.pdf | ||
TC55B88J-12 | TC55B88J-12 TOSHIBA SOJ | TC55B88J-12.pdf | ||
CZTA28 TR | CZTA28 TR CENTRAL SMD or Through Hole | CZTA28 TR.pdf | ||
R1124N301B-TR | R1124N301B-TR RICOH SOT23-5 | R1124N301B-TR.pdf |