창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF830APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF830A,SiHF830A Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF830APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF830APBF | |
관련 링크 | IRF830, IRF830APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | 18FHB-SM1-G-TB(LF)(SN) | 18FHB-SM1-G-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 18FHB-SM1-G-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | LT1529IT-5 | LT1529IT-5 LINEAR TO220 | LT1529IT-5.pdf | |
![]() | T7AF2AXB | T7AF2AXB TOSHIBA BGA | T7AF2AXB.pdf | |
![]() | SCDS5D18T-121T-N | SCDS5D18T-121T-N CHILISIN SMD | SCDS5D18T-121T-N.pdf | |
![]() | T78F327MHXFP-65324(32.768KHZ) | T78F327MHXFP-65324(32.768KHZ) EPSON SMD | T78F327MHXFP-65324(32.768KHZ).pdf | |
![]() | KAS1112RT | KAS1112RT E-Switch SMD or Through Hole | KAS1112RT.pdf | |
![]() | UN921TJ NOPB | UN921TJ NOPB Panasonic SOT423 | UN921TJ NOPB.pdf |