창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF830APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF830A,SiHF830A Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF830APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF830APBF | |
관련 링크 | IRF830, IRF830APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VSB1545-M3/73 | DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600 | VSB1545-M3/73.pdf | |
![]() | RNF14BTC75R0 | RES 75 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTC75R0.pdf | |
![]() | Y0089383R000AP0L | RES 383 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0089383R000AP0L.pdf | |
![]() | LTC4278CDKD#PBF/ID | LTC4278CDKD#PBF/ID LT SMD or Through Hole | LTC4278CDKD#PBF/ID.pdf | |
![]() | MH32V72DATJ6/M5M4674700DVP5 | MH32V72DATJ6/M5M4674700DVP5 MIT DIMM | MH32V72DATJ6/M5M4674700DVP5.pdf | |
![]() | SMPC8.0A | SMPC8.0A VISHAY TO-277A | SMPC8.0A.pdf | |
![]() | LA7387 | LA7387 SANYO DIP | LA7387.pdf | |
![]() | CC1812X7R8K104R | CC1812X7R8K104R CCT SMD1812 | CC1812X7R8K104R.pdf | |
![]() | ST7MDTU7-CHIP | ST7MDTU7-CHIP ST SMD or Through Hole | ST7MDTU7-CHIP.pdf | |
![]() | AZ2692-125-2 | AZ2692-125-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AZ2692-125-2.pdf | |
![]() | SKN240/04UNF | SKN240/04UNF SEMIKRON SMD or Through Hole | SKN240/04UNF.pdf |