창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF820STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF820S, SiHF820S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF820STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF820S, IRF820STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F260X3ASR | 26MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X3ASR.pdf | |
![]() | 1812R-823F | 82µH Unshielded Inductor 169mA 7 Ohm Max 2-SMD | 1812R-823F.pdf | |
![]() | TLP291(YH-TP,SE | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SO | TLP291(YH-TP,SE.pdf | |
![]() | RES/NW 1KRX4-5PIN | RES/NW 1KRX4-5PIN KYC SMD or Through Hole | RES/NW 1KRX4-5PIN.pdf | |
![]() | UDZS TE-17 16B | UDZS TE-17 16B ROHM SMD or Through Hole | UDZS TE-17 16B.pdf | |
![]() | 93C022 | 93C022 ORIGINAL DIP | 93C022.pdf | |
![]() | 5043ED5K110F12AA5 | 5043ED5K110F12AA5 PHILIPS SMD or Through Hole | 5043ED5K110F12AA5.pdf | |
![]() | BU931TFI | BU931TFI ST TO-220 | BU931TFI.pdf | |
![]() | TC35097P | TC35097P TOS DIP | TC35097P.pdf | |
![]() | 25.000 Mhz | 25.000 Mhz ORIGINAL 49S | 25.000 Mhz.pdf | |
![]() | TNPW12061426BT9RT | TNPW12061426BT9RT ORIGINAL SMD or Through Hole | TNPW12061426BT9RT.pdf | |
![]() | S1D15200F11A1 | S1D15200F11A1 EPSON QFP | S1D15200F11A1.pdf |