창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF820STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF820S, SiHF820S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF820STRLPBF | |
관련 링크 | IRF820S, IRF820STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RS80J331MDNASQ | 330µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 8 mOhm 5000 Hrs @ 105°C | RS80J331MDNASQ.pdf | |
![]() | SSQ 630/5K | FUSE BOARD MNT 630MA 125VAC/VDC | SSQ 630/5K.pdf | |
![]() | B82144A2104J | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 700 mOhm Max Axial | B82144A2104J.pdf | |
![]() | CRCW20104R22FKEFHP | RES SMD 4.22 OHM 1% 1W 2010 | CRCW20104R22FKEFHP.pdf | |
![]() | Y08500R11500F9R | RES SMD 0.115 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R11500F9R.pdf | |
![]() | 561KD05 | 561KD05 BrightKin SMD or Through Hole | 561KD05.pdf | |
![]() | EM-400A | EM-400A E-MAY SMD or Through Hole | EM-400A.pdf | |
![]() | Z8H127TSSX44-B | Z8H127TSSX44-B ZTEIC TSOP | Z8H127TSSX44-B.pdf | |
![]() | TMCMC1C226MTR(16V/22UF/C) | TMCMC1C226MTR(16V/22UF/C) ORIGINAL C | TMCMC1C226MTR(16V/22UF/C).pdf | |
![]() | TNETD5012A | TNETD5012A ORIGINAL TQFP | TNETD5012A.pdf | |
![]() | XC9572XL-2VQG44 | XC9572XL-2VQG44 XILINX QFP | XC9572XL-2VQG44.pdf | |
![]() | D80C50HC* | D80C50HC* NEC DIP-40 | D80C50HC*.pdf |