창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF820ASTRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF820ASPBF, ALPBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF820ASTRR | |
| 관련 링크 | IRF820, IRF820ASTRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | JMK316B7106KL-T | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | JMK316B7106KL-T.pdf | |
![]() | VJ0402D8R2CXBAP | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D8R2CXBAP.pdf | |
![]() | HC1E-HP-AC120V-F | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 120VAC Coil Through Hole | HC1E-HP-AC120V-F.pdf | |
![]() | P312 | P312 IR SMD or Through Hole | P312.pdf | |
![]() | P106032-ACTIA | P106032-ACTIA NS SOP14 | P106032-ACTIA.pdf | |
![]() | TG-01 | TG-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | TG-01.pdf | |
![]() | 2SK641 | 2SK641 HIT TO-3P | 2SK641.pdf | |
![]() | 2SK191 | 2SK191 HIT TO-92 | 2SK191.pdf | |
![]() | G2R-1-T-DC100V | G2R-1-T-DC100V OMRON SMD or Through Hole | G2R-1-T-DC100V.pdf | |
![]() | TSL1112 -221K1R0-PF | TSL1112 -221K1R0-PF TDK SMD or Through Hole | TSL1112 -221K1R0-PF.pdf | |
![]() | IDT9DB1200BGLF | IDT9DB1200BGLF IDT SMD or Through Hole | IDT9DB1200BGLF.pdf | |
![]() | M58484P | M58484P DIP MITSUBISHI | M58484P.pdf |