창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF820ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF820ASPBF, ALPBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF820ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF820ASPBF | |
| 관련 링크 | IRF820, IRF820ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | NF10AA0259MHB | ICL 2.5 OHM 20% 4.5A 9.9MM | NF10AA0259MHB.pdf | |
![]() | D02A4RA1 | D02A4RA1 PHOENIX SMD or Through Hole | D02A4RA1.pdf | |
![]() | 1K065-016V-001 | 1K065-016V-001 IRC CDIP-16 | 1K065-016V-001.pdf | |
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![]() | AT27HC642R-70DM/883C | AT27HC642R-70DM/883C ATMEL CWDIP | AT27HC642R-70DM/883C.pdf | |
![]() | MAX9157EGJ | MAX9157EGJ MAXIMINTEGRATE SMD or Through Hole | MAX9157EGJ.pdf | |
![]() | MHO+28FAD-44.736000MHZ | MHO+28FAD-44.736000MHZ MTRON SMD or Through Hole | MHO+28FAD-44.736000MHZ.pdf | |
![]() | LAS190 | LAS190 ST CAN2 | LAS190.pdf | |
![]() | 91901-31225 | 91901-31225 FCI SMD or Through Hole | 91901-31225.pdf | |
![]() | 1600V0.1UF (104) | 1600V0.1UF (104) ORIGINAL SMD or Through Hole | 1600V0.1UF (104).pdf | |
![]() | R5F61648HN50BGV | R5F61648HN50BGV Renesas SMD or Through Hole | R5F61648HN50BGV.pdf |