창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF820APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF820APBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF820APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF820APBF | |
관련 링크 | IRF820, IRF820APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
NFE31PT101C1E9L | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 100pF 6A 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad | NFE31PT101C1E9L.pdf | ||
RT1206DRE07383KL | RES SMD 383K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07383KL.pdf | ||
GT5-1P/S-R 35 | GT5-1P/S-R 35 HRS SMD or Through Hole | GT5-1P/S-R 35.pdf | ||
NEC881-1 | NEC881-1 NEC DIP | NEC881-1.pdf | ||
215299-4 | 215299-4 TYCO ORIGINAL | 215299-4.pdf | ||
C0402X7R500-682MNE | C0402X7R500-682MNE VENKEL SMD or Through Hole | C0402X7R500-682MNE.pdf | ||
ADG453BR-REEL7 | ADG453BR-REEL7 AD S N | ADG453BR-REEL7.pdf | ||
BL-R24D1U-YJ-LC62-63 | BL-R24D1U-YJ-LC62-63 BRIGHT ROHS | BL-R24D1U-YJ-LC62-63.pdf | ||
09K0855PQ | 09K0855PQ IBM BGA | 09K0855PQ.pdf | ||
X9317WS8T1 | X9317WS8T1 INTERSIL SOP-8 | X9317WS8T1.pdf |