창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF8113TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF8113PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF8113 Saber Model IRF8113 Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 17.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2910pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF8113PBFTR SP001554458 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF8113TRPBF | |
관련 링크 | IRF8113, IRF8113TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | P6SMB43AHE3/5B | TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC SMB | P6SMB43AHE3/5B.pdf | |
![]() | RT0603CRD0722K1L | RES SMD 22.1K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRD0722K1L.pdf | |
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![]() | RCS080536K0JNEA | RES SMD 36K OHM 5% 0.4W 0805 | RCS080536K0JNEA.pdf | |
![]() | F1439 | F1439 ORIGINAL SMD or Through Hole | F1439.pdf | |
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![]() | XL12D821MCZWPEC | XL12D821MCZWPEC HIT DIP | XL12D821MCZWPEC.pdf | |
![]() | PST600C-2 | PST600C-2 MITSUMI TO-92 | PST600C-2.pdf | |
![]() | D78F0524A | D78F0524A NEC/PBF QFP52 | D78F0524A.pdf | |
![]() | GLQ1005T75NJ00 | GLQ1005T75NJ00 TDK SMD | GLQ1005T75NJ00.pdf |