창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7904PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7904PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | SO-8 MOSFET Alternate Site 11/Nov/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A, 11A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.2m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.4W, 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001555718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7904PBF | |
관련 링크 | IRF790, IRF7904PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | FXO-HC335-48 | 48MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC335-48.pdf | |
![]() | IRF520VS | IRF520VS IR D2PAKTO-263 | IRF520VS .pdf | |
![]() | CT1M08 | CT1M08 N/A QFN28 | CT1M08.pdf | |
![]() | JQX-102F-12VDC | JQX-102F-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-102F-12VDC.pdf | |
![]() | SFF28S | SFF28S ORIGINAL DIP | SFF28S.pdf | |
![]() | 16ZLG2200M12.5X25 | 16ZLG2200M12.5X25 RUBYCON DIP | 16ZLG2200M12.5X25.pdf | |
![]() | R0487YS10E | R0487YS10E WESTCODE MODULE | R0487YS10E.pdf | |
![]() | NJM1146M(TE2) | NJM1146M(TE2) JRC SSOP-32 | NJM1146M(TE2).pdf | |
![]() | BP-4812S2 | BP-4812S2 BOTHHAND DIP | BP-4812S2.pdf | |
![]() | 2200UF/25V 13*20 | 2200UF/25V 13*20 Cheng SMD or Through Hole | 2200UF/25V 13*20.pdf | |
![]() | KID65002AP. | KID65002AP. KEC DIP-16 | KID65002AP..pdf |