창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7904PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7904PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | SO-8 MOSFET Alternate Site 11/Nov/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A, 11A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.2m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.4W, 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001555718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7904PBF | |
관련 링크 | IRF790, IRF7904PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EEU-TA1E102SB | 1000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | EEU-TA1E102SB.pdf | |
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![]() | 20V8BQ | 20V8BQ ORIGINAL PLCC | 20V8BQ.pdf | |
![]() | 27-000147-02 | 27-000147-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 27-000147-02.pdf | |
![]() | RO-1205S/H | RO-1205S/H RECOM SIP-4 | RO-1205S/H.pdf | |
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![]() | AX1117SJ-50V | AX1117SJ-50V AXELITR SOT-223 | AX1117SJ-50V.pdf | |
![]() | R8J32702SFPV | R8J32702SFPV RENESAS QFP208 | R8J32702SFPV.pdf | |
![]() | 74LCX112MX | 74LCX112MX FSC SOP | 74LCX112MX.pdf | |
![]() | LT4351IS8#PBF | LT4351IS8#PBF LT SMD or Through Hole | LT4351IS8#PBF.pdf | |
![]() | TRW1016J5CB | TRW1016J5CB TRW CDIP40J | TRW1016J5CB.pdf | |
![]() | MAX997EUA+ | MAX997EUA+ MAXIM TSSOP-8 | MAX997EUA+.pdf |