창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7842TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7842PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7842PBFTR SP001577684 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7842TRPBF | |
관련 링크 | IRF7842, IRF7842TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C1206F473K2RACTU | 0.047µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206F473K2RACTU.pdf | ||
MS4800S-30-1840-X | TRANSMITTER SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-30-1840-X.pdf | ||
KTC2020D-GR-RTF/P | KTC2020D-GR-RTF/P KEC SMD or Through Hole | KTC2020D-GR-RTF/P.pdf | ||
SMAJ40ATR-13 | SMAJ40ATR-13 microsemi DO-214AC | SMAJ40ATR-13.pdf | ||
CL160808T-330K-N | CL160808T-330K-N chilisin SMD | CL160808T-330K-N.pdf | ||
FLC01-200D | FLC01-200D ST SOT82-FM | FLC01-200D.pdf | ||
AS07-F | AS07-F AS SSOP-20 | AS07-F.pdf | ||
PMIOP420 | PMIOP420 AD CDIP | PMIOP420.pdf | ||
7160-55 | 7160-55 IMI PLCC | 7160-55.pdf | ||
2N6594G. | 2N6594G. ON TO-3 | 2N6594G..pdf | ||
PC940L | PC940L Motorola QFP | PC940L.pdf | ||
MMC2116N-25L | MMC2116N-25L AT DIP | MMC2116N-25L.pdf |