창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7834TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7834PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7834 Saber Model IRF7834 Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3710pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7834PBFTR IRF7834TRPBF-ND IRF7834TRPBFTR-ND SP001563774 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7834TRPBF | |
관련 링크 | IRF7834, IRF7834TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
501AAA25M0000BAF | 25MHz LVCMOS CMEMS® Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 2.5mA Enable/Disable | 501AAA25M0000BAF.pdf | ||
MMBZ5238BW-7-F | DIODE ZENER 8.7V 200MW SOT323 | MMBZ5238BW-7-F.pdf | ||
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M29W320DT- - 70N6 | M29W320DT- - 70N6 ST TSOP | M29W320DT- - 70N6.pdf | ||
KNF32100-3AA 1206-100M | KNF32100-3AA 1206-100M KYOCERA SMD or Through Hole | KNF32100-3AA 1206-100M.pdf | ||
NCP1529MU12TBG | NCP1529MU12TBG ON SMD or Through Hole | NCP1529MU12TBG.pdf | ||
BA5937FB | BA5937FB ROHM SMD or Through Hole | BA5937FB.pdf |