창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7809AVTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7809AVPbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7809AV Saber Model IRF7809AV Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3780pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7809AVPBFTR IRF7809AVTRPBF-ND IRF7809AVTRPBFTR-ND SP001555654 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7809AVTRPBF | |
관련 링크 | IRF7809A, IRF7809AVTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D120KXAAJ | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D120KXAAJ.pdf | ||
TC55RP3502EMB713 | TC55RP3502EMB713 Microchip SOT89 | TC55RP3502EMB713.pdf | ||
ZXK581000M-10L | ZXK581000M-10L SONY SMD | ZXK581000M-10L.pdf | ||
DA228/BU | DA228/BU ROHM SMD or Through Hole | DA228/BU.pdf | ||
B1212LS-1W | B1212LS-1W MORNSUN SMD or Through Hole | B1212LS-1W.pdf | ||
W29L020P-70B | W29L020P-70B N/A TSOP | W29L020P-70B.pdf | ||
CUS-22 | CUS-22 COPAL SMD or Through Hole | CUS-22.pdf | ||
IT8661F-CYT | IT8661F-CYT ITE QFP | IT8661F-CYT.pdf | ||
C0805C333K5RAC7800 | C0805C333K5RAC7800 KEMET SMD or Through Hole | C0805C333K5RAC7800.pdf | ||
KY4300AM | KY4300AM ORIGINAL SMD | KY4300AM.pdf | ||
R5F212K2SNFP#U0 | R5F212K2SNFP#U0 RENESAS QFP32 | R5F212K2SNFP#U0.pdf |