창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7809AVTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7809AVPbF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF7809AV Saber Model IRF7809AV Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 15A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3780pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7809AVPBFTR IRF7809AVTRPBF-ND IRF7809AVTRPBFTR-ND SP001555654 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7809AVTRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7809A, IRF7809AVTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | K682K20C0GF53H5 | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K682K20C0GF53H5.pdf | |
![]() | C1812C102K5GACTU | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C102K5GACTU.pdf | |
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![]() | 27MP00437 | 27MP00437 UNKNOWN SMD or Through Hole | 27MP00437.pdf | |
![]() | C658 | C658 FC SMD or Through Hole | C658.pdf | |
![]() | SS24-13 | SS24-13 DIODES SMB | SS24-13.pdf | |
![]() | MEF474K100 | MEF474K100 TAISHING SMD or Through Hole | MEF474K100.pdf | |
![]() | 5962-8603204XA | 5962-8603204XA ATMEL PGA | 5962-8603204XA.pdf | |
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