창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7807ZTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7807ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7807ZPBFTR IRF7807ZTRPBF-ND IRF7807ZTRPBFTR-ND SP001570494 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7807ZTRPBF | |
관련 링크 | IRF7807, IRF7807ZTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AT0603DRD07301RL | RES SMD 301 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07301RL.pdf | |
![]() | TEF6930H | TEF6930H NXP QFP80 | TEF6930H.pdf | |
![]() | C3216JB0J225M | C3216JB0J225M TDK SMD | C3216JB0J225M.pdf | |
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![]() | NTD14N03RT4G E3 | NTD14N03RT4G E3 ON TO252 | NTD14N03RT4G E3.pdf | |
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![]() | 50V47 6X7 | 50V47 6X7 CHANG SMD or Through Hole | 50V47 6X7.pdf | |
![]() | BC417 | BC417 CSR BGA | BC417.pdf | |
![]() | MTND3N03 | MTND3N03 MOT SO-8 | MTND3N03.pdf | |
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![]() | BU4217G-TR | BU4217G-TR Rohm 5-SSOP | BU4217G-TR.pdf |