홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IRF7807PBF

Infineon Technologies IRF7807PBF

IRF7807PBF
제조업체 부품 번호
IRF7807PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
IRF7807PBF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IRF7807PBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRF7807PBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRF7807PBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IRF7807PBF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRF7807PBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRF7807PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF7807PbF/APbF
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs25m옴 @ 7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대2.5W
작동 온도*
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 95
다른 이름SP001570512
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF7807PBF
관련 링크IRF780, IRF7807PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IRF7807PBF 의 관련 제품
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 215 mOhm Max Nonstandard, 4 Lead 784777220.pdf
RES SMD 309 OHM 1% 1/16W 0402 RT0402FRD07309RL.pdf
310MHZ(5X5) ALPS 5X5 310MHZ(5X5).pdf
MC44C801EVK FREESCALE TQFPEP MC44C801EVK.pdf
STK495-030 SANKEN SMD or Through Hole STK495-030.pdf
ST180 XG DIP-4 ST180.pdf
YC62-4 1.96V 128mA YC 62MM YC62-4 1.96V 128mA.pdf
686RLS035M llinoisCapacitor DIP 686RLS035M.pdf
100V/1UF ORIGINAL SMD or Through Hole 100V/1UF.pdf
HI0603-1C2N2SNT ACX SMD or Through Hole HI0603-1C2N2SNT.pdf
2SC2881O TOSHIBA SOT-89 2SC2881O.pdf