창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7807APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7807PbF/APbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | *IRF7807APBF SP001566402 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7807APBF | |
| 관련 링크 | IRF780, IRF7807APBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | JMK107BJ225KA-T 0603-225K PB-FREE | JMK107BJ225KA-T 0603-225K PB-FREE TAIYO SMD or Through Hole | JMK107BJ225KA-T 0603-225K PB-FREE.pdf | |
![]() | BH7867FS-E2 | BH7867FS-E2 ROHM SSOP-A32 | BH7867FS-E2.pdf | |
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![]() | 1120 Series | 1120 Series BOURNS SMD or Through Hole | 1120 Series.pdf | |
![]() | 963114-2000-AR-PR | 963114-2000-AR-PR M SMD or Through Hole | 963114-2000-AR-PR.pdf | |
![]() | GEFORCE-FX-5600SE | GEFORCE-FX-5600SE NVIDIA BGA | GEFORCE-FX-5600SE.pdf | |
![]() | XC6385A441PR | XC6385A441PR TOREX SOT-89 | XC6385A441PR.pdf | |
![]() | B45196E3106K309 | B45196E3106K309 EPCOS DIP | B45196E3106K309.pdf | |
![]() | L-Th-202 | L-Th-202 GL SMD or Through Hole | L-Th-202.pdf |