창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7805PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7805PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF7805TRPBF Saber Model IRF7805TRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001575274 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7805PBF | |
| 관련 링크 | IRF780, IRF7805PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | DSC1001AI1-033.3330 | 33.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AI1-033.3330.pdf | |
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![]() | CA91L862A-50IL | CA91L862A-50IL TUNDRA BGA | CA91L862A-50IL.pdf | |
![]() | LMCI1005-8N2JT | LMCI1005-8N2JT VenJ SMD | LMCI1005-8N2JT.pdf | |
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![]() | MFR-12FRF52453R | MFR-12FRF52453R YAGEO SMD or Through Hole | MFR-12FRF52453R.pdf | |
![]() | MPS8099G | MPS8099G ORIGINAL SMD or Through Hole | MPS8099G.pdf | |
![]() | SMW200-14 | SMW200-14 YEONHO SMD or Through Hole | SMW200-14.pdf | |
![]() | XF9355-165 | XF9355-165 GENNUM BGA | XF9355-165.pdf | |
![]() | BA3576 | BA3576 ROHM SSOP20 | BA3576.pdf |