창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7780MTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7780MTRPbF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 89A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 53A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6504pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ Isometric MD | |
| 공급 장치 패키지 | DirectFET™ Isometric MD | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | SP001551498 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7780MTRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7780, IRF7780MTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LNSW20G223J | LNSW20G223J lat SMD or Through Hole | LNSW20G223J.pdf | |
![]() | LTC6655CHMS8-3#PBF | LTC6655CHMS8-3#PBF LTC MSOP8 | LTC6655CHMS8-3#PBF.pdf | |
![]() | LT1996ACDD#PBF/AI/C/I | LT1996ACDD#PBF/AI/C/I LT SMD or Through Hole | LT1996ACDD#PBF/AI/C/I.pdf | |
![]() | A1209N-1W | A1209N-1W MORNSUN SMD or Through Hole | A1209N-1W.pdf | |
![]() | NC74SZ74K8X | NC74SZ74K8X NXP SMD or Through Hole | NC74SZ74K8X.pdf | |
![]() | ID2114A-5 | ID2114A-5 INTEL DIP | ID2114A-5.pdf | |
![]() | K6T2568C1C-GB55 | K6T2568C1C-GB55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T2568C1C-GB55.pdf | |
![]() | MP7503KN.JN | MP7503KN.JN MP DIP16 | MP7503KN.JN.pdf | |
![]() | F1710310-1000 | F1710310-1000 ORIGINAL SMD or Through Hole | F1710310-1000.pdf | |
![]() | MN5123H/B | MN5123H/B ORIGINAL SMD or Through Hole | MN5123H/B.pdf | |
![]() | EEUFJ0J222B | EEUFJ0J222B PANASONIC DIP | EEUFJ0J222B.pdf | |
![]() | WSL2010R0400FTA | WSL2010R0400FTA VISHAY 2010-0.04 | WSL2010R0400FTA.pdf |