Infineon Technologies IRF7779L2TRPBF

IRF7779L2TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF7779L2TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
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내부 부품 번호EIS-IRF7779L2TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF7779L2TR(1)PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF7779L2TR1PBF Saber Model
IRF7779L2TR1PBF Spice Model
주요제품Large Can DirectFET® MOSFETs
PCN 조립/원산지DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Wafer Fab Transfer 06/May/2014
Die Epoxy Henkel 8064T Update 12/Nov/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C375A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11m옴 @ 40A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs150nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6660pF @ 25V
전력 - 최대3.3W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스DirectFET™ 아이소메트릭 L8
공급 장치 패키지DIRECTFET L8
표준 포장 4,000
다른 이름IRF7779L2TRPBF-ND
IRF7779L2TRPBFTR
SP001572314
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF7779L2TRPBF
관련 링크IRF7779L, IRF7779L2TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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