창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7749L1TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7749L1TRPbF | |
주요제품 | Large Can DirectFET® MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Die Epoxy Henkel 8064T Update 12/Nov/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta), 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 120A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12320pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET L8 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7749L1TRPBF-ND IRF7749L1TRPBF-NDTR SP001555556 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7749L1TRPBF | |
관련 링크 | IRF7749L, IRF7749L1TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SMAJ130CA-13-F | TVS DIODE 130VWM 209VC SMA | SMAJ130CA-13-F.pdf | ||
SIB410DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO | SIB410DK-T1-GE3.pdf | ||
MS46SR-30-350-Q1-10X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-30-350-Q1-10X-10R-NC-FN.pdf | ||
SSH107 | SSH107 goodwork SS | SSH107.pdf | ||
TR5050RGBT6C | TR5050RGBT6C ORIGINAL SMD or Through Hole | TR5050RGBT6C.pdf | ||
LM83CLMQA | LM83CLMQA NS SSOP16 | LM83CLMQA.pdf | ||
LTC2600IUFDTRPBF | LTC2600IUFDTRPBF LTC-SF SMD or Through Hole | LTC2600IUFDTRPBF.pdf | ||
XC3S1400A-FGG484I | XC3S1400A-FGG484I XILINX BGA-484 | XC3S1400A-FGG484I.pdf | ||
K10OC | K10OC ORIGINAL QFN8 | K10OC.pdf | ||
AES1510-I-JF-TR-NIOA | AES1510-I-JF-TR-NIOA AUTHENTEC BGA39 | AES1510-I-JF-TR-NIOA.pdf | ||
XC7SET125GF | XC7SET125GF NXP SOT891 | XC7SET125GF.pdf | ||
SQD400A60S/ | SQD400A60S/ ORIGINAL SMD or Through Hole | SQD400A60S/.pdf |