창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7530PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7530PbF | |
PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
표준 포장 | 80 | |
다른 이름 | *IRF7530PBF SP001572084 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7530PBF | |
관련 링크 | IRF753, IRF7530PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812Y333JBAAT4X | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y333JBAAT4X.pdf | |
![]() | NTHS0603N04N3503JE | NTC Thermistor 350k 0603 (1608 Metric) | NTHS0603N04N3503JE.pdf | |
![]() | PME271Y610MR30Y2 | PME271Y610MR30Y2 RIFA SMD or Through Hole | PME271Y610MR30Y2.pdf | |
![]() | SN75ALS1176DG4 | SN75ALS1176DG4 TI SOP-8 | SN75ALS1176DG4.pdf | |
![]() | 67997-414H | 67997-414H BERG ORIGINAL | 67997-414H.pdf | |
![]() | TSB41ABI41IC | TSB41ABI41IC ORIGINAL TQFP | TSB41ABI41IC.pdf | |
![]() | G4V506-P | G4V506-P ATX SOP | G4V506-P.pdf | |
![]() | SBR20100CTB | SBR20100CTB DIODES D2PAK | SBR20100CTB.pdf | |
![]() | GP3A222RCK0F | GP3A222RCK0F SHARP SMD or Through Hole | GP3A222RCK0F.pdf | |
![]() | EL58728BES | EL58728BES INTERSIL QFN | EL58728BES.pdf | |
![]() | IS204-1G | IS204-1G Isocom NA | IS204-1G.pdf |