Infineon Technologies IRF7503TRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF7503TRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRF7503TRPBF 가격 및 조달
가능 수량
12550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 229.80672
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRF7503TRPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRF7503TRPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRF7503TRPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRF7503TRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF7503TRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7503TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7503PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7503TRPBF-ND IRF7503TRPBFTR SP001555496 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7503TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7503, IRF7503TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRF7503TRPBF 의 관련 제품
 | PS0020BE33036BH1 | 33pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 R42 축방향, CAN - 나사형 단자 0.984" Dia(25.00mm) | PS0020BE33036BH1.pdf | |
 | 403I35E18M43200 | 18.432MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35E18M43200.pdf | |
 | 4114R-1-681 | RES ARRAY 7 RES 680 OHM 14DIP | 4114R-1-681.pdf | |
| EC36-1R2K | EC36-1R2K RUIYI SMD or Through Hole | EC36-1R2K.pdf | |
| TLC1078IDR | TLC1078IDR TI SOP-8 | TLC1078IDR.pdf | |
| 3N60L-A TO-220 | 3N60L-A TO-220 UTC TO220 | 3N60L-A TO-220.pdf | |
| BD239B-S | BD239B-S bourns DIP | BD239B-S.pdf | |
| HTSW-105-08-TM-S-RA | HTSW-105-08-TM-S-RA SAMTEC SMD or Through Hole | HTSW-105-08-TM-S-RA.pdf | |
| MAX6502VKP095 | MAX6502VKP095 MAX SMD or Through Hole | MAX6502VKP095.pdf | |
| LB11964 | LB11964 SANYO TSSOP8 | LB11964.pdf | |
| WDF-RBG14 | WDF-RBG14 WDF SMD or Through Hole | WDF-RBG14.pdf |