창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7501TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7501PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF7501TR Saber Model IRF7501TR Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7501TRPBF-ND IRF7501TRPBFTR Q2235500 Q3145294 SP001575316 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7501TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7501, IRF7501TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ESR10EZPF2672 | RES SMD 26.7K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF2672.pdf | |
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![]() | TDA5361HL/C1 | TDA5361HL/C1 PHILIPS QFP80 | TDA5361HL/C1.pdf | |
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![]() | TC7SA00F | TC7SA00F TOSH SMD or Through Hole | TC7SA00F.pdf | |
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![]() | BCM6348KPBG-P12 | BCM6348KPBG-P12 BROADCOM BGA | BCM6348KPBG-P12.pdf | |
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![]() | BAS316/DG /KN | BAS316/DG /KN NXP SMD or Through Hole | BAS316/DG /KN.pdf | |
![]() | 106 50V 10% E | 106 50V 10% E avetron SMD or Through Hole | 106 50V 10% E.pdf |