Infineon Technologies IRF7495PBF

IRF7495PBF
제조업체 부품 번호
IRF7495PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IRF7495PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF7495PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF7495PBF Saber Model
IRF7495PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Fab Transfer 04/Jul/2013
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Alternate Assembly Site 15/Apr/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7.3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs22m옴 @ 4.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs51nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1530pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 95
다른 이름*IRF7495PBF
62-0093PBF
62-0093PBF-ND
SP001577542
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF7495PBF
관련 링크IRF749, IRF7495PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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