창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7488TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7488PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7488TRPBF-ND IRF7488TRPBFTR SP001551418 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7488TRPBF | |
관련 링크 | IRF7488, IRF7488TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT1206DRD0751KL | RES SMD 51K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0751KL.pdf | |
![]() | ERJ-S12F2940U | RES SMD 294 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F2940U.pdf | |
![]() | CMF502K3200BEEA | RES 2.32K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF502K3200BEEA.pdf | |
![]() | NRSZC471M35V10X20 | NRSZC471M35V10X20 ORIGINAL DIP | NRSZC471M35V10X20.pdf | |
![]() | 78M05-12 | 78M05-12 ORIGINAL TO252 | 78M05-12.pdf | |
![]() | 72V245L15TF | 72V245L15TF IDT//TDK TQFP | 72V245L15TF.pdf | |
![]() | RT9715AGBR | RT9715AGBR ORIGINAL SMD or Through Hole | RT9715AGBR.pdf | |
![]() | SiP4610ADT-T1-E3//Zi4610IGV-T1 | SiP4610ADT-T1-E3//Zi4610IGV-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SiP4610ADT-T1-E3//Zi4610IGV-T1.pdf | |
![]() | AS271 | AS271 CMA SOP | AS271.pdf | |
![]() | KSR2004TA | KSR2004TA SAMSUNG TO-92 | KSR2004TA.pdf | |
![]() | SM89516C25J-AC | SM89516C25J-AC SYNC-MOS SMD or Through Hole | SM89516C25J-AC.pdf | |
![]() | LAI | LAI ORIGINAL SOT235 | LAI.pdf |