창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7488TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7488PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7488TRPBF-ND IRF7488TRPBFTR SP001551418 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7488TRPBF | |
관련 링크 | IRF7488, IRF7488TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TWAB127K050SBEZ0000 | 120µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 50V Axial 2 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) | TWAB127K050SBEZ0000.pdf | |
![]() | MCC56-18IO1B | MOD THYRISTOR DUAL 1800V TO240AA | MCC56-18IO1B.pdf | |
![]() | 3269P-1-503G | 50k Ohm 0.25W, 1/4W Gull Wing Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 12 Turn Side Adjustment | 3269P-1-503G.pdf | |
![]() | RC1608F472CS | RES SMD 4.7K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F472CS.pdf | |
![]() | RE0402DRE07140RL | RES SMD 140 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RE0402DRE07140RL.pdf | |
![]() | WW1AJT150R | RES 150 OHM 1W 5% AXIAL | WW1AJT150R.pdf | |
![]() | M1025Z/C | M1025Z/C MIT sop | M1025Z/C.pdf | |
![]() | D789072G | D789072G NEC TSSOP | D789072G.pdf | |
![]() | MM1216GNRE / 1CJB | MM1216GNRE / 1CJB MITSUMI SMD or Through Hole | MM1216GNRE / 1CJB.pdf | |
![]() | ALPS0087 | ALPS0087 ORIGINAL SMD or Through Hole | ALPS0087.pdf |