창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7469TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7469PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7469 Saber Model IRF7469 Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7469PBFTR IRF7469TRPBF-ND IRF7469TRPBFTR-ND SP001559908 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7469TRPBF | |
관련 링크 | IRF7469, IRF7469TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CX0342ABPB | CX0342ABPB CmoX CLCC | CX0342ABPB.pdf | |
![]() | BCM5356A1KFBG BCM5395SKFB BCM5464A1KRB | BCM5356A1KFBG BCM5395SKFB BCM5464A1KRB csr SMD or Through Hole | BCM5356A1KFBG BCM5395SKFB BCM5464A1KRB.pdf | |
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![]() | 20CTH03FPPBF | 20CTH03FPPBF IR TO-220F | 20CTH03FPPBF.pdf | |
![]() | M5M2168P-70 | M5M2168P-70 MIT SMD or Through Hole | M5M2168P-70.pdf | |
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![]() | 185873583 | 185873583 ARTICLE 2000 | 185873583.pdf | |
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![]() | LQP11A22NG00T1M00-01 | LQP11A22NG00T1M00-01 MURATA SMD or Through Hole | LQP11A22NG00T1M00-01.pdf | |
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