창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7463TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7463PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF7463 Saber Model IRF7463 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7463PBFTR IRF7463TRPBF-ND IRF7463TRPBFTR-ND SP001551388 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7463TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7463, IRF7463TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | IHSM5832ER3R9L | 3.9µH Unshielded Inductor 7.9A 21 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832ER3R9L.pdf | |
![]() | PLTT0805Z9201AGT5 | RES SMD 9.2K OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z9201AGT5.pdf | |
![]() | IRDC458-1H | IRDC458-1H IR SOP20 | IRDC458-1H.pdf | |
![]() | TSM11301LDVTR | TSM11301LDVTR SAT SMD or Through Hole | TSM11301LDVTR.pdf | |
![]() | F1458 | F1458 ORIGINAL DIP-8 | F1458.pdf | |
![]() | JRC2903X | JRC2903X ORIGINAL SMD or Through Hole | JRC2903X.pdf | |
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![]() | 2SD1919Q | 2SD1919Q RHM N A | 2SD1919Q.pdf | |
![]() | EPF8820ATC1444 | EPF8820ATC1444 ALTERA SMD or Through Hole | EPF8820ATC1444.pdf | |
![]() | 215GTINA21 | 215GTINA21 D QFP-208 | 215GTINA21.pdf | |
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