창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7452TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7452PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF7452 Saber Model IRF7452 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7452PBFTR SP001572164 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7452TRPBF | |
관련 링크 | IRF7452, IRF7452TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ESMH201VSN102MQ50S | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 166 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH201VSN102MQ50S.pdf | ||
RT0805FRD07806KL | RES SMD 806K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD07806KL.pdf | ||
TFPT1206L4701KZ | PTC Thermistor 4.7k Ohm 1206 (3216 Metric) | TFPT1206L4701KZ.pdf | ||
LG2640/HV12 | LG2640/HV12 LIGITEK DIP | LG2640/HV12.pdf | ||
M4042B | M4042B OKI DIP16 | M4042B.pdf | ||
SQCSVA0R7B | SQCSVA0R7B AVX SMD or Through Hole | SQCSVA0R7B.pdf | ||
337S3291 | 337S3291 ORIGINAL BGA | 337S3291.pdf | ||
UPD30111S1-90-3C | UPD30111S1-90-3C NEC QFP | UPD30111S1-90-3C.pdf | ||
LM2936MMX-3.0 | LM2936MMX-3.0 NS MSOP8 | LM2936MMX-3.0.pdf | ||
TM3450 | TM3450 TI DIP | TM3450.pdf | ||
VT63105M | VT63105M VIA QFP | VT63105M.pdf | ||
L116PD11 | L116PD11 INTEL QFP | L116PD11.pdf |