창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7413ZTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7413ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7413Z Saber Model IRF7413Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1210pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7413ZPBFTR IRF7413ZTRPBF-ND IRF7413ZTRPBFTR-ND SP001555342 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7413ZTRPBF | |
관련 링크 | IRF7413, IRF7413ZTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VS-HFA08TB60STRRP | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | VS-HFA08TB60STRRP.pdf | |
![]() | LR1F68R | RES 68.0 OHM 0.6W 1% AXIAL | LR1F68R.pdf | |
![]() | AT24C02-27 | AT24C02-27 AT SMD | AT24C02-27.pdf | |
![]() | MAX2531EGI | MAX2531EGI MAXIM QFN | MAX2531EGI.pdf | |
![]() | 2N3425 | 2N3425 MOT CAN | 2N3425.pdf | |
![]() | CH7202A | CH7202A CHRONTEL PLCC44 | CH7202A.pdf | |
![]() | HB2P003B | HB2P003B HANBIT SMD or Through Hole | HB2P003B.pdf | |
![]() | USS725D | USS725D LUCENT TQFP | USS725D.pdf | |
![]() | KFO-200 | KFO-200 ORIGINAL SMD or Through Hole | KFO-200.pdf | |
![]() | MIC27640A | MIC27640A MICREL DIP8 | MIC27640A.pdf | |
![]() | LM5010EVAL | LM5010EVAL NS SMD or Through Hole | LM5010EVAL.pdf |