창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7413TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7413PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7413TRPBF Saber Model IRF7413TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 7.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7413PBFTR SP001570386 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7413TRPBF | |
관련 링크 | IRF7413, IRF7413TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
30D108M063GK2AE3 | 1000µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 242 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 30D108M063GK2AE3.pdf | ||
A1032AY-221K | A1032AY-221K TOKO SMD | A1032AY-221K.pdf | ||
KTC103 | KTC103 KEC TO92S | KTC103.pdf | ||
33535V10%C | 33535V10%C avetron SMD or Through Hole | 33535V10%C.pdf | ||
8PH100 | 8PH100 CDI DIP4 | 8PH100.pdf | ||
PCI16C72AJW | PCI16C72AJW MICROCHI DIP | PCI16C72AJW.pdf | ||
R2J10190HA-A00DD | R2J10190HA-A00DD SUNTRUE DIP-64 | R2J10190HA-A00DD.pdf | ||
SB560-E3-73 | SB560-E3-73 VISHAY SMD or Through Hole | SB560-E3-73.pdf | ||
HA17080 | HA17080 HIT DIP8 | HA17080.pdf | ||
IRU111733CDTR | IRU111733CDTR IR TO-252 | IRU111733CDTR.pdf | ||
D3899926WD19SN | D3899926WD19SN mtx SMD or Through Hole | D3899926WD19SN.pdf |