창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF740SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF740S, SiHF740S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF740SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF740SPBF | |
| 관련 링크 | IRF740, IRF740SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A390KBCAT4X | 39pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A390KBCAT4X.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2B2-33E75.000000T | OSC XO 3.3V 75MHZ | SIT9120AI-2B2-33E75.000000T.pdf | |
![]() | RP73D2A576RBTDF | RES SMD 576 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A576RBTDF.pdf | |
![]() | CRCW12061M05FKEB | RES SMD 1.05M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061M05FKEB.pdf | |
![]() | CWX813-14.31818M | CWX813-14.31818M CONNOR-WINFIELD SMD | CWX813-14.31818M.pdf | |
![]() | LMX358AKA+TG05 | LMX358AKA+TG05 MAX NA | LMX358AKA+TG05.pdf | |
![]() | 20MMS.B.5A | 20MMS.B.5A ORIGINAL SMD or Through Hole | 20MMS.B.5A.pdf | |
![]() | 2SB898 | 2SB898 HIT TO-220 | 2SB898.pdf | |
![]() | 150UF/200V 18*30 | 150UF/200V 18*30 Cheng SMD or Through Hole | 150UF/200V 18*30.pdf | |
![]() | 8B-33K | 8B-33K FH SMD or Through Hole | 8B-33K.pdf | |
![]() | FW82554EC | FW82554EC INTEL BGA | FW82554EC.pdf |