창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF740APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF740APBF Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF740APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF740APBF | |
| 관련 링크 | IRF740, IRF740APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0663.063ZRLL | FUSE BOARD MOUNT 63MA 250VAC RAD | 0663.063ZRLL.pdf | |
![]() | BZX85B11-TR | DIODE ZENER 11V 1.3W DO41 | BZX85B11-TR.pdf | |
![]() | TPSA334K035S6000 | TPSA334K035S6000 AVX SMD or Through Hole | TPSA334K035S6000.pdf | |
![]() | UPD784060GCA-E12-3B9-C | UPD784060GCA-E12-3B9-C NEC QFP | UPD784060GCA-E12-3B9-C.pdf | |
![]() | ULN2803AG/TOS | ULN2803AG/TOS ORIGINAL SMD or Through Hole | ULN2803AG/TOS.pdf | |
![]() | PAN1001 | PAN1001 TEL NA | PAN1001.pdf | |
![]() | 78CSF7T | 78CSF7T TI LEADED | 78CSF7T.pdf | |
![]() | HD6437097F | HD6437097F HITACHI QFP | HD6437097F.pdf | |
![]() | UPD75318-027 | UPD75318-027 NEC QFP | UPD75318-027.pdf | |
![]() | RTT06R250FTP | RTT06R250FTP RALEC SMD or Through Hole | RTT06R250FTP.pdf |