창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7404PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7404PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7404TRPBF Saber Model IRF7404TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 3.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | 62-0221PBF 62-0221PBF-ND SP001570402 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7404PBF | |
관련 링크 | IRF740, IRF7404PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 08052A120FAT2A | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A120FAT2A.pdf | |
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![]() | RG1608P-3240-W-T1 | RES SMD 324 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-3240-W-T1.pdf | |
![]() | TPSMB13A-E3 | TPSMB13A-E3 VISHYA DO-214AA | TPSMB13A-E3.pdf | |
![]() | CF1-2815.67.5 | CF1-2815.67.5 N/A NULL | CF1-2815.67.5.pdf | |
![]() | M37460MB-113FP | M37460MB-113FP MITSUBISHI QFP | M37460MB-113FP.pdf | |
![]() | 32321VZ | 32321VZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 32321VZ.pdf | |
![]() | KE-G1270 | KE-G1270 N/A BGA | KE-G1270.pdf | |
![]() | SG1731J | SG1731J SG SMD or Through Hole | SG1731J.pdf | |
![]() | 5962-8850501RA-AD537 | 5962-8850501RA-AD537 AD DIP | 5962-8850501RA-AD537.pdf | |
![]() | DDS-CJS-QR1-1 | DDS-CJS-QR1-1 DOMINANT SMD or Through Hole | DDS-CJS-QR1-1.pdf |