창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7389TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7389PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1520 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7389PBFTR IRF7389TRPBF-ND IRF7389TRPBFTR-ND SP001554234 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7389TRPBF | |
관련 링크 | IRF7389, IRF7389TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 3213X202M | 2k Ohm 0.125W, 1/8W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3213X202M.pdf | |
![]() | RT2512CKB0736K5L | RES SMD 36.5KOHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0736K5L.pdf | |
![]() | H5127L | H5127L N/A NC | H5127L.pdf | |
![]() | 2SC1035 | 2SC1035 ORIGINAL CAN4 | 2SC1035.pdf | |
![]() | 470UF/25V RB2/4 | 470UF/25V RB2/4 RUBYCON SMD or Through Hole | 470UF/25V RB2/4.pdf | |
![]() | TLP732GB(LF2) | TLP732GB(LF2) TOSHIBA DIP-6P | TLP732GB(LF2).pdf | |
![]() | PM7528FSR | PM7528FSR AD SOPDIPQFP | PM7528FSR.pdf | |
![]() | SY10EP52VKGTR | SY10EP52VKGTR HITACHI MSOP-8 | SY10EP52VKGTR.pdf | |
![]() | L2B | L2B ORIGINAL SC70-5 | L2B.pdf | |
![]() | 65888-12R | 65888-12R OHMITE SMD or Through Hole | 65888-12R.pdf | |
![]() | VIPef22A | VIPef22A ST SOP8 | VIPef22A.pdf | |
![]() | IXTM8P45(A) | IXTM8P45(A) IXY SMD or Through Hole | IXTM8P45(A).pdf |