창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF737LCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF737LCL | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF737LCL | |
| 관련 링크 | IRF73, IRF737LCL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BUJ105AB,118 | TRANS NPN 400V 8A D2PAK | BUJ105AB,118.pdf | |
![]() | 36501J8N7JTDG | 8.7nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 110 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 36501J8N7JTDG.pdf | |
![]() | 766161823GP | RES ARRAY 15 RES 82K OHM 16SOIC | 766161823GP.pdf | |
![]() | M41000002R | M41000002R AMD BGA | M41000002R.pdf | |
![]() | MCP79U-B2 | MCP79U-B2 NVIDIA BGA | MCP79U-B2.pdf | |
![]() | SB356(W/M) | SB356(W/M) TSC SMD or Through Hole | SB356(W/M).pdf | |
![]() | FL453232-1R0K | FL453232-1R0K ORIGINAL SMD or Through Hole | FL453232-1R0K.pdf | |
![]() | DRC644 | DRC644 DDC SMD or Through Hole | DRC644.pdf | |
![]() | FL1306T | FL1306T ORIGINAL SMD or Through Hole | FL1306T.pdf | |
![]() | S29GL064M11FAIS2 | S29GL064M11FAIS2 ORIGINAL BGA64 | S29GL064M11FAIS2.pdf | |
![]() | PDTC114XE | PDTC114XE ORIGINAL SOT-23 | PDTC114XE.pdf |