창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7351PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7351PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.8m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1330pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001570426 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7351PBF | |
관련 링크 | IRF735, IRF7351PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
416F370X2ATT | 37MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X2ATT.pdf | ||
PD54R-104K | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 700 mOhm Max Nonstandard | PD54R-104K.pdf | ||
AC0201FR-07237RL | RES SMD 237 OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-07237RL.pdf | ||
TNPW080515K8BETA | RES SMD 15.8K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080515K8BETA.pdf | ||
NJM2383V | NJM2383V JRC SSOP | NJM2383V.pdf | ||
Gali-21+ (21 ) | Gali-21+ (21 ) ORIGINAL SOT-89 | Gali-21+ (21 ).pdf | ||
TCA3382ADP | TCA3382ADP mot SMD or Through Hole | TCA3382ADP.pdf | ||
N87C541 | N87C541 INTEL PLCC | N87C541.pdf | ||
LT1256CS#TRPBF | LT1256CS#TRPBF LT SOP14 | LT1256CS#TRPBF.pdf | ||
594D108X96R3R | 594D108X96R3R VISHAY SMD or Through Hole | 594D108X96R3R.pdf |