창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7343TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7343PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF7343TRPBF Saber Model IRF7343TRPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1520 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.7A, 3.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 4.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7343PBFTR SP001565516 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7343TRPBF | |
관련 링크 | IRF7343, IRF7343TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TPSD226M025R0200 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD226M025R0200.pdf | ||
FOXSLF/036S | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | FOXSLF/036S.pdf | ||
GL200F33CET | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL200F33CET.pdf | ||
AC82024BXB QV70 | AC82024BXB QV70 INTEL BGA | AC82024BXB QV70.pdf | ||
L-582 | L-582 MERCK SMD or Through Hole | L-582.pdf | ||
LM3670MF-1.8/NOPB | LM3670MF-1.8/NOPB NSC SOT23-5 | LM3670MF-1.8/NOPB.pdf | ||
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ONET8501PBRGTR | ONET8501PBRGTR TI QFN | ONET8501PBRGTR.pdf | ||
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OPT006 | OPT006 Centellax BGA | OPT006.pdf |